3M Pad CMPin ambito Componenti elettronici e per semiconduttori
Prestazioni ed efficienza altamente ripetibili nella produzione di semiconduttori con i pad CMP 3M™ Trizact™.
Offri prestazioni prevedibili, stabili e consistenti al tuo processo di planarizzazione meccanico-chimica (CMP) - ogni volta
Il processo CMP nella produzione di semiconduttori necessita di prestazioni migliori e di una maggiore coerenza economica. La richiesta di aumentare continuamente la resa non lascia spazio a variazioni nella produzione in fabbrica e questo espone al rischio di sprechi o minore affidabilità dei dispositivi. Anziché scegliere tra una maggiore efficienza di planarizzazione e una bassa difettosità, è possibile avere entrambe. Cerchi un pad conditioner diamantato da abbinare? Non è necessario. Scegli di ridefinire il tuo processo CMP con i pad CMP 3M™ Trizact™.
Lavoriamo insieme. Contattaci con le tue sfide più recenti e ricevi il supporto diretto di un team di esperti tecnici dedicato. Quindi, usufruisci di campionamenti locali e iterazioni dei prodotti grazie ai nostri laboratori e capacità di produzione globali.
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Prestazioni avanzate per i nodi avanzati
Al centro di ogni pad CMP 3M™ Trizact™ si trova la microreplicazione, una tecnologia fondamentale di 3M che ci consente di scolpire con precisione caratteristiche tridimensionali microscopiche e durevoli sulla superficie del pad.
Questo processo altamente controllato e regolabile organizza le asperità e i pori in celle unitarie indipendenti per consentire una lucidatura e una pressione uniformi su tutto il wafer, ideali per i nodi avanzati. Dopo oltre 1.000 passaggi di wafer, i pad microreplicati di 3M mantengono l'integrità delle dimensioni, mostrando un'usura oltre 15 inferiore volte rispetto a quella di un pad tradizionale. [1, p. 6].
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Maggiore uniformità di lucidatura
I pad CMP microreplicati di 3M hanno dimostrato una stabilità, ripetibilità e uniformità molto consistenti da wafer a wafer per almeno 2000 passaggi di wafer, come misurato da livelli inferiori di non uniformità all'interno del dado (WIDNU), rispetto ai pad convenzionali [1, p. 5]. In fase di test, i pad CMP 3M™ Trizact™ hanno ridotto di oltre il 30% l'altezza del canale di colata WIDNU e di oltre il 40% lo spessore dielettrico della parte superiore del canale di colata.
Fonte: [1] A Microreplicated Pad for Tungsten Chemical-Mechanical Planarization
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Planarizzazione più rapida e precisa
I pad CMP 3M™ Trizact™ dimostrano rapidità, precisione e uniformità della planarizzazione. Laddove un pad tradizionale potrebbe dover depositare uno strato di ossido spesso e inefficiente di oltre 2.000 angstrom (Å) su uno strato di nitruro di silicio per lasciare un margine adeguato a una planarizzazione imprecisa, i pad 3M richiedono solo il 65% di tale quantità.
Questo permette di risparmiare sia sul deposito di ossido che sullo slurry utilizzato per il processo CMP. Inoltre, meno materiale da rimuovere significa meno tempo dedicato alla lucidatura. I test hanno dimostrato una riduzione di oltre il 50% del tempo necessario per rimuovere uno strato di ossido rispetto a un pad a grana diamantata tradizionale.
Hai bisogno di un pad conditioner al posto di quello? 3M può essere di aiuto.
La nostra ampia gamma di CMP pad conditioner 3M™ soddisfa le esigenze di processo in diverse applicazioni, dalla coerenza di microreplicazione dei pad conditioner 3M™ Trizact™ per nodi avanzati ai dischi diamantati e alle spazzole morbide ed economiche per i nodi precedenti.
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